TG16C

;

Gate Characteristics

Gate Current（mA）

２

２

２

２

２

５

５

２

５

５

５

１０

１

１０

０

１０

−１

１０

１

１０

２

１０

３

125℃

25℃

−25℃

Peak Gate Voltage（10V）

Peak

Gate

Power

（

10W

）

Average

Gate

Power

（1

W）

Gate

Distribution

Maximum Gate Voltage that will not trigger any unit

On-State Voltage（MAX）

On-State Voltage（V）

１０

３

５

２

１０

２

５

２

１０

１

５

１

０

２

５

４

３

０

2π

３６０゜

θ

θ

θ

：Conduction Angle

π

On State Current vs.

Maximum Power Dissipation

RMS On-State Current（A）

８

１６

２４

０

１２

２０

４

０

８

４

１６

１２

２０

θ＝180゜

θ＝150゜

θ＝120゜

θ＝90゜

θ＝60゜

θ＝30゜

０

2π

３６０゜

θ

θ

θ

：Conduction Angle

π

８０

１００

１２０

７０

９０

１１０

１３０

On State Current vs.

Allowable Case Temperature

RMS On-State Current（A）

８

４

１６

２０

０

１２

θ＝30゜

θ＝60゜

θ＝90゜

θ＝120゜

θ＝150゜

θ＝180゜

０

４

１２

８

１６

２０

Ambient temp. vs. RMS On-State Current

Maximum Allowable Ambient Temperature（℃）

２０

４０

０

６０

８０

１２０

１００

１４０

Conduction Angle 180゜

Apply following figures for

different conduction angles

θ

：150゜

：1.05

θ

：120゜

：1.16

θ

： 90゜

：1.26

θ

： 60゜

：1.40

θ

： 30゜

：1.61

120゜

×3Rth：2.7℃/W

100゜

×3Rth：3.3℃/W

80゜

×3Rth：4.6℃/W

FIn：Al plate pained black

θ＝180゜

(Rth：heat Sink Thermal Impedance)

０

５０

１５０

１００

２００

２５０

Surge On-State Current Rating

（Non-Repetitive）

Time（cycles）

２

５

１０

０

１０

１

２

５

１０

２

60Hz

50Hz

Tj＝25℃ start

１０

ー３

１０

ー２

１０

ー１

１０

０

１０

１

１０

２

１０

３

１０

４

Time

１２

１０

８

６

４

２

１１

９

７

５

３

１

０

１２

１０

８

６

４

２

１１

９

７

５

３

１

０

Transient Thermal Impedance

Fin：Al plate pained black

80゜

×3t

120゜

×3t

100゜

×3t

Junction to case