TMG2C60F

Gate Characteristics

Gate Current（mA）

０．

１

１

１０

１０

１

１００

１０００

（7V）

（1.5W）

（0.2V）

（0.1W）

25℃

On-State Characteristics（MAX）

On-State Voltage（V）

０

０.５

１

１.５

２

２.５

３

４

３.５

４.５

０.１

１

１０

１００

Ｔ

ｊ=２５℃

Ｔ

ｊ=１２５℃

RMS On-State Current（A）

０

０.５

１

１.５

２

RMS On-State Current vs

Maximum Power Dissipation

θ＝30゜

θ＝60゜

θ＝90゜

θ＝120゜

θ＝150゜

θ＝180゜

０

2π

３６０゜

θ

θ

θ

：Conduction Angle

π

０

０.５

１

１.５

２

２.５

３

RMS On-State Current（A）

１０５

１１０

１１５

１２０

１２５

１００

０

０.５

1

１.５

２

RMS On-State vs

Allowable Case Temperature

０

2π

３６０゜

θ

θ

θ

：Conduction Angle

π

θ＝30゜

θ＝90゜

θ＝150゜

θ＝180゜

θ＝120゜

θ＝60゜

Surge On-State Current Rating

（Non-Repetitive）

５

１０

１５

２０

０

１

１０0

１０

Time（Cycles）

１００

０.１

１

１０

１００

１０００

１

１０

０.０１

Time（Sec.）

Transient Thermal Impedance

Rth（j−a）

Rth（j−c）

Junction Temp. Tj（℃）

１０

１００

１０００

−５０

−２５

０

５０

７５

２５

１００

１２５

I

＋

GT１

（!

I

−

GT１

（!

I

−

GT3

（#

V

＋

GT1

（!

V

−

GT1

（!

V

−

GT3

（#

Junction Temp. Tj（℃）

１０

１００

１０００

−５０

−２５

０

５０

７５

２５

１００

１２５

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