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5LN01N Datasheet(PDF) 1 Page - Sanyo Semicon Device |
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1 / 4 page 5LN01N No.6558-1/4 5LN01N 〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号 特長 ・低オン抵抗。 ・超高速スイッチング。 ・2.5V 駆動。 絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃ unit ドレイン・ソース電圧 VDSS 50 V ゲート・ソース電圧 VGSS ±10 V ドレイン電流(DC) ID 0.1 A ドレイン電流(パルス) IDP PW ≦ 10 µs, duty cycle ≦ 1% 0.4 A 許容損失 PD 0.4 W チャネル温度 Tch 150 ℃ 保存周囲温度 Tstg − 55 ∼+ 150 ℃ 電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃ min typ max unit ドレイン・ソース降伏電圧 V(BR)DSS ID=1mA, VGS=0 50 V ドレイン・ソースしゃ断電流 IDSS VDS=50V, VGS=0 10 µA ゲート・ソースもれ電流 IGSS VGS= ± 8V, VDS=0 ± 10 µA ゲート・ソースしゃ断電圧 VGS(off) VDS=10V, ID=100µA 0.4 1.3 V 順伝達アドミタンス yfs VDS=10V, ID=50mA 0.13 0.18 S ドレイン・ソース間オン抵抗 RDS(on)1 ID=50mA, VGS=4V 6 7.8 Ω RDS(on)2 ID=30mA, VGS=2.5V 7.1 9.9 Ω RDS(on)3 ID=10mA, VGS=1.5V 10 20 Ω 入力容量 Ciss VDS=10V, f=1MHz 6.6 pF 出力容量 Coss VDS=10V, f=1MHz 4.7 pF 帰還容量 Crss VDS=10V, f=1MHz 1.7 pF 次ページへ続く。 N6558 注文コード No. N6558 N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 超高速スイッチング用 52200 No. 新 外形図 2178 (unit:mm) 1 : Source 2 : Drain 3 : Gate SANYO:NP 5.0 4.0 0.5 0.45 0.45 4.0 0.44 1.3 1.3 12 3 本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を 要する用途(生命維持装置、航空機のコント ロールシステム等、多大な人的・物的損害 を及ぼす恐れのある用途)に対応する仕様に はなっておりません。そのような場合には、 あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下 さい。 本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲 等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果 発生した機器の欠陥について、弊社は責任 を負いません。 52200 TS IM ◎祝田 TA-2033 |
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