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VG-2820CB

■仕 様（特性）

■外形寸法図

■推奨はんだ付けパターン図

電圧制御水晶発振器

原 寸 大

（単位：mm）

（単位：mm）

●

GSM用に開発

●

リフロー可能な高密度実装対応超小型SMD

（5.0×3.2×1.5 mm）

●

耐熱AT振動子内蔵で、汎用SMD ICと同等の耐熱性を実現

●

Bi-CMOS ICの使用により低消費電流、

低ノイズ特性を実現

（-128 dBc/Hz Typ. at 100 Hz offset）

●

電源電圧2.8 V対応

項     目

記 号

仕        様

条       件

出

力

周

波

数

最 大 供 給 電 圧

動 作 電 圧

電 源 電 圧

保 存 温 度

動 作 温 度

13.0000 MHz

-0.3 V∼+7.0 V

2.8 V±0.1 V

-40 ˚C∼+85 ˚C

-20 ˚C∼+75 ˚C

温 度 範 囲

単品での保存

周 波 数 安 定 度

消   費   電   流

デ ュ ー テ ィ

出   力   電   圧

出   力   負   荷

1.0 mA Max.

30 %∼70 %

0.8 V Min.

9 pF∼11 pF

9 kΩ∼11 kΩ

 fc

周 波 数 可 変 範 囲

上記以外の仕様については、お問い合わせください。

※周波数初期偏差、リフロー特性、周波数温度特性、電源電圧変動特性、負荷変動特性、周波数経時変化（fa：初年度）を含む。

※

入   力   抵   抗

周 波 数 変 化 極 性

10 MΩ Min.

正極性

Duty

GND Level (DC cut)

Peak to Peak

DC cut capacitor =0.01 µF

NO.

ピン端子

1 

2

GND

3   OUT

5.0±0.2

1.1

3.7

#1

#2

#4

#3

E

13.000

A191 A

製品型番（２ページを参照）

Q3621CB0xxxxx00

※斜線範囲には、GND以外のパターンを配線しないでください。

※図と異なるはんだ付けパターンが必要となる場合はお問い合せください。

3.9

1.3

Crystal oscillator