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LA71170M Datasheet(PDF) 5 Page - Sanyo Semicon Device

Part No. LA71170M
Description  LA71170M
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Homepage  http://www.ssdc-jp.com/eng/
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LA71170M
No.5598-5/34
RECモードY
項目
記号
測定条件
入力 出力
min
typ
max
unit
シンクチップレベル
ペデスタルレベル
ホワイトレベル測定
LVOR T20A T29
T20A T29
T20A T29
VIN=ホワイト100% 0.5Vp-p
T29ビデオ出力のシンクチップ,ペデスタル,
ホワイトレベルの各々の電位を測定し、各々
LSYN, LPED, LWHTとする。
疑似V挿入レベル
ΔVDP
ΔHDP
T26に4.7Vを加えた時のT29のDC電圧を
測定し、これをLVDPとし上記のLSYNとの
差を計算する。
ΔVDP=LSYN -LVDP
T26に3.6Vを加えた時のT29のDC
電圧を測定し、これをLHDPとし
て上記のLPEDとの差を計算する。
ΔHDP=LPED-LHDP
0mV
mV
疑似H挿入レベル
Serial
0
1
T20A T29
ΔWHP
T26に2.6Vを加えた時のT29のDC
電圧を測定し、これをLWDPとし
て上記のLWHTとの差を計算する。
ΔWHP=LWHT-LWHP
mV
ホワイト挿入レベル
Serial
0
1
T20A T29
T39
ΔEGP
T26に1.5Vを加えた時のT29のDC
電圧を測定し、これをLEGPとし
て上記のLPEDとの差を計算する。
ΔWHP=LPED-LEGP
mV
V
エッジ挿入レベル
Serial
0
1
4Vレギュレータ
VREG
T39のDCレベルを測定
3.9
4.1
4.3
前ページより続く。
RECモードEQ
項目
記号
測定条件
入力 出力
min
typ
max
unit
REC EQ特性1
GREQ1 T17A T12
VIN=300mVp-p,f=2MHz
入出力のレスポンスを測定
−4.5
dB
REC EQ特性2
GREQ2 T17A T12
T17A T12
VIN=300mVp-p,f=4MHz
入出力のレスポンスを測定、GREQ1との差
VIN=300mVp-p,f=4MHz
入出力のレスポンスを測定
−2.7
−40
−35
−20
dB
REC EQ特性3
GREQ3 T17A T12
T74 T18
T74 T18
T74 T18
VIN=400mVp-p,f=750kHz
入出力のレスポンスを測定
dB
dB
3.0
1.5
4.5
dB
REC EQ二次歪み
HREQ
上記条件で2次高調波を測定
−40
−30
−25
−25
−25
−25
dB
dB
PB EQ2次歪
HPEQ
FPEQ1
上記条件で2次高調波を測定
PB EQ特性1
*Serial-control
PB EQ
 Low-Trap特性1
*Serial control
GPEQ1
VIN=300mVp-p
低域Trap周波数及びGain測定
(ネットワ-クアナライザ使用)
Serial
00(650kHz)
01(800kHz)
10(1.1MHz)
11(500kHz)
T74 T18
−25
−25
−25
−25
dB
FPEQ2
PB EQ
 High-Trap特性2
*Serial control
VIN=300mVp-p
高域Trap周波数及びGain測定
(ネットワ-クアナライザ使用)
Serial
00(10MHz)
01(9MHz)
10(8MHz)
11(7MHz)




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