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ENN7483 Datasheet(PDF) 2 Page - Sanyo Semicon Device |
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ENN7483 Datasheet(HTML) 2 Page - Sanyo Semicon Device |
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2 / 4 page  12A02MH No.7483-2/4 Continued from preceding page. Ratings Parameter Symbol Conditions min typ max Unit Output Capacitance Cob VCB= --10V, f=1MHz 6 pF Collector-to-Emitter Saturation Voltage VCE(sat) IC= --400mA, IB= --20mA --120 --240 mV Base-to-Emitter Saturation Voltage VBE(sat) IC= --400mA, IB= --20mA --0.9 --1.2 V Collector-to-Base Breakdown Voltage V(BR)CBO IC= --10µA, IE=0 --15 V Collector-to-Emitter Breakdown Voltage V(BR)CEO IC= --1mA, RBE=∞ --12 V Emitter-to-Base Breakdown Voltage V(BR)EBO IE= --10µA, IC=0 --5 V Turn-ON Time ton See specified Test Circuit. 30 ns Storage Time tstg See specified Test Circuit. 75 ns Fall Time tf See specified Test Circuit. 15 ns Switching Time Test Circuit VR RB VCC= --5V VBE=5V ++ 50 Ω INPUT OUTPUT RL 220 µF 470 µF PW=20 µs IB1 D.C. ≤1% IB2 IC=20IB1= --20IB2= --400mA Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- mV IC -- VCE Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V IC -- VBE Collector Current, IC -- mA hFE -- IC Collector Current, IC -- mA VCE(sat) -- IC 0 0 --1000 --200 --100 --200 --300 --400 --500 --600 --700 --800 --900 0 --400 --1200 --600 --800 --1000 --200 --500 --1000 --800 --900 --100 --300 --400 --600 --700 IT05094 0 --0.2 --0.4 --0.6 --0.8 --1.0 --1.2 IT05095 --15mA --10mA --7mA --5mA --3mA --2mA --1mA --0.5mA IB=0 VCE= --2V --1.0 23 5 7 23 5 7 23 5 7 --10 --100 2 3 5 7 100 1000 --100 --1000 --1.0 2 3 5 --10 7 2 3 5 7 2 3 5 7 --1000 IT05096 IT05097 --1.0 23 5 7 --10 2 3 57 2 3 57 --100 --1000 --25 °C Ta=75 °C VCE= --2V IC / IB=20 Ta=75 °C 25 °C --25 °C 25 °C |
Similar Part No. - ENN7483 |
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