A117AJ-00 datasheet(1/1 Pages) HUASHAN

Part #	A117AJ-00

Description	PNP SILICON TRANSISTOR

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Manufacturer	HUASHAN [SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD]

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汕头华汕电子器件有限公司

█ 芯片简介

█ 管芯示意图

█ 极限值（T

a=25℃）

（TO-126、TO-126ML）

█ 电参数（T

a=25℃）

（TO-126、TO-126ML）

参数符号

符

号

说

明

最小值典型值最大值

单位

测

试

条

件

BVCBO

BVCEO

BVEBO

ICBO

hFE

VCE(sat)

VBE

fT

Cob

集电极—基极击穿电压

集电极—发射极击穿电压

发射极—基极击穿电压

集电极—基极截止电流

直流电流增益

集电极—发射极饱和电压

基极—发射极电压

特征频率

共基极输出电容

-180

-160

-5

60

30

140

27

-10

300

-1

-1.5

V

µA

V

MHz

pF

IC=-1mA，IE=0

IC=-10mA，IB=0

IE=-1mA，IC=0

VCB=-160V，IE=0

VCE=-5V，IC=-150mA

VCE=-5V，IC=-500mA

IC=-500mA，IB=-50mA

VCE=-5V，IC=-150mA

VCB=-10V,IE=0，f=1MHz

PNP

S I L I C O N

T R A N S I S T O R

Tstg——贮存温度…………………………………-55~150℃

Tj——结温…………………………………………… 150℃

PC——集电极功率耗散（Tc=25℃）………………… 20W

PC——集电极功率耗散（TA=25℃）……………………1W

VCBO——集电极—基极电压…………………………-180V

VCEO——集电极—发射极电压………………………-160V

VEBO——发射极—基极电压……………………………-5V

IC——集电极电流………………………………………-1.5A

649A 晶体管芯片说明书

芯片尺寸：4 英寸（100mm）

芯片代码：A117AJ-00

芯片厚度：240±20µm

管芯尺寸：1170×1170µm 2

焊位尺寸：B 极 272×192µm 2；E 极 226×298µm 2

电极金属：铝

背面金属：金

典型封装：2SB649A，HS649A，H649A

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