C075AJ-00 datasheet(1/1 Pages) HUASHAN

Part #	C075AJ-00

Description	NPN SILICON TRANSISTOR

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Manufacturer	HUASHAN [SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD]

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汕头华汕电子器件有限公司

█　芯片简介

█　管芯示意图

█ 极限值（T

a=25℃）（TO-92L）

█ 电参数（T

a=25℃）

（TO-92L）

参数符号

符

号

说

明

最小值典型值最大值

单位

测

试

条

件

BVCBO

BVCEO

BVEBO

ICBO

IEBO

hFE

VCE(sat)

VBE(sat)

fT

Cob

集电极— 基极击穿电压

集电极— 发射极击穿电压

发射极— 基极击穿电压

集电极— 基极截止电流

发射极— 基极截止电流

直流电流增益

集电极— 发射极饱和电压

基极— 发射极饱和电压

特征频率

共基极输出电容

50

5

70

40

100

30

1

240

0.5

1.2

V

µA

V

MHz

pF

IC=100µA ，IE=0

IC=10mA，IB=0

IE=100µA ，IC=0

VCB=50V，IE=0

VEB=5V，IC=0

VCE=2V，IC=500 mA

VCE=2V，IC=1.5A

IC=1A，IB=50mA

VCE=2V，IC=500mA

VCB=10V，IE=0，f=1MHz

NPN

S I L I C O N

T R A N S I S T O R

Tstg——贮存温度…………………………………－55~150℃

Tj——结温………………………………………………150℃　

PC——集电极功率耗散（Ta=25℃）…………………900mW

VCBO——集电极—基极电压……………………………50V

VCEO——集电极—发射极电压…………………………50V

VEBO——发射极—基极电压………………………………5V

IC——集电极电流…………………………………………2A

IB——基极电流…………………………………………0.5A

2655 晶体管芯片说明书

芯片尺寸：4 英寸（100mm）

芯片代码：C075AJ-00

芯片厚度：240±20µm

管芯尺寸：750×750µm 2

焊位尺寸：B 极 165×170µm2；E 极 150×165µm2

电极金属：铝

背面金属：金

典型封装：２ＳＣ２６５５

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