SBD Bridge

シングルインライン型

Single In-line Package

■外観図　OUTLINE

外形図については新電元 Web サイト又は〈半導体製品一覧表〉をご参照下

さい。捺印表示については捺印仕様をご確認下さい。

For details of outline dimensions, refer to our web site or the Semiconductor

Short Form Catalog. As for the marking, refer to the specification “Marking,

Terminal Connection”.

特 長

（J534-1）

204

D30XBN20

200V 30A

• SBD ブリッジ

• SBD Bridge

Package

：5S

Unit : mm

Weight : 7.1g（typ.）

①

③

④

②

＋

∼ ∼

−

4.6

①

③

④

②

+

−

∼

∼

管理番号（例）

Control No.

品名

Type No.

30

20

17.5

ロット記号（例）

Date code

℃

℃

V

A

A

kV

N・m

V

μA

pF

℃/W

項  目

Item

記号

Symbol

保存温度

Storage Temperature

接合部温度

Operation Junction Temperature

せん頭逆電圧

Maximum Reverse Voltage

出力電流

Average Rectified Forward Current

せん頭サージ順電流

Peak Surge Forward Current

順電圧

Forward Voltage

逆電流

Reverse Current

接合容量

Junction Capacitance

熱抵抗

Thermal Resistance

Vdis

TOR

Cj

50Hz 正弦波，非繰り返し１サイクルせん頭値，Tj = 25℃

50Hz sine wave, Non-repetitive 1cycle peak value, Tj = 25℃

一括端子・ケース間，AC１分間印加

Terminals to Case, AC 1 minute

（推奨値：0.5 N・m）

（Recommended torque : 0.5 N・m）

50Hz 正弦波，抵抗負荷

50Hz sine wave, Resistance load

フィン付き

With heatsink

Tc = 91℃

Ta = 26℃

フィンなし

Without heatsink

パルス測定，１素子当たりの規格値

Pulse measurement, per diode

接合部・ケース間，フィン付き

Junction to Case, With heatsink

接合部・リード間

Junction to Lead

接合部・ 周囲間

Junction to Ambient

パルス測定，１素子当たりの規格値

Pulse measurement, per diode

MAX

0.90

MAX

10

TYP

360

MAX

1.0

MAX

5.0

MAX

25

−55∼150

150

200

30

3.1

350

2.5

0.8

絶縁耐圧

Dielectric Strenght

締め付けトルク

Mounting Torque

１素子当たりの規格値

per diode

条 件

Conditions

品 名

Type No.

単位

Unit

D30XBN20

θjc

θjl

θja

■定格表　RATINGS

Feature