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PDM505HA Datasheet(PDF) 2 Page - Nihon Inter Electronics Corporation |
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PDM505HA Datasheet(HTML) 2 Page - Nihon Inter Electronics Corporation |
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2 / 3 page  ─ 326 ─ ■電気的特性 Electrical Characteristics（＠TC＝25℃ unless otherwise noted） 項 目 Characteristic 記号 Symbol 条 件 Condition 特性値（最大） Maximum Value 単位 Unit 最小 Min. 標準 Typ. 最大 Max. ドレイン遮断電流 Zero Gate Voltage Drain Current IDSS VDS＝VDSS, VGS＝0V ─ ─ 1 mA ゲート・ソース間しきい値電圧 Gate-Source Threshold Voltage VGS （th） VDS＝VGS, ID＝3mA 2 3.1 4 V ゲート・ソース間漏れ電流 Gate-Source Leakage Current IGSS VGS＝±20V, VDS＝0V ─ ─ 0.3 μA ドレイン・ソース間オン抵抗（MOSFET部） Static Drain-Source On-Resistance rDS（on） VGS＝10V, ID＝25A ─ 110 120 mΩ ドレイン・ソース間オン電圧 Drain-Source On-Voltage VDS （on） VGS＝10V, ID＝25A ─ 3.2 3.5 V 順伝達コンダクタンス Forward Transconductance gfg VDS＝15V, ID＝25A ─ 30 ─ S 項 目 Characteristic 記号 Symbol 条 件 Condition 特性値（最大） Maximum Value 単位 Unit 最小 Min. 標準 Typ. 最大 Max. ソース電流（連続） Continuous Source Current IS D. C. ─ ─ 35 A パルスソース電流 Pulsed Source Current ISM ─ ─ 100 A ダイオード順電圧 Diode Forward Voltage VSD IS＝50A ─ ─ 1.5 V 逆回復時間 Reverse Recovery Time trr IS＝50A −diS/dt＝100A/μs ─ 80 ─ ns 逆回復電荷 Reverse Recovery Charge Qr ─ 0.18 ─ μC Tj＝125℃, VDS＝VDSS, VGS＝0V ─ ─ 4 入力容量 Input Capacitance Ciss VGS＝0V VDS＝25V f＝1MHz ─ 8.4 ─ nF 出力容量 Output Capacitance Coss ─ 1.1 ─ nF 帰還容量 Reverse Transfer Capacitance Crss ─ 0.24 ─ nF 上昇時間 Rise Time tr ターン・オン遅延時間 Turn-On Delay Time td （on） VDD＝1/2VDSS ID＝25A VGS＝−5V, ＋10V RG＝5Ω ─ 92 ─ ns ─ 110 ─ ns ターン・オン遅延時間 Turn-Off Delay Time td （off） ─ 250 ─ ns 下降時間 Fall Time tf ─ 68 ─ ns 項 目 Characteristic 記号 Symbol 条 件 Condition 特性値（最大） Maximum Value 単位 Unit 最小 Min. 標準 Typ. 最大 Max. 熱抵抗（接合部−ケース間） Thermal Resistance, Junction to Case Rth （j-c） MOSFET ─ ─ 0.36 ℃/W 接触熱抵抗（ケース−冷却フィン間） Thermal Resistance, Case to Heatsink Rth （c-f） サーマルコンパウンド塗布 Mounting surface flat, smooth, and greased ─ ─ 0.1 Diode ─ ─ 2.0 ■内部ダイオード定格・特性 Source-Drain Diode Ratings and Characteristics（＠TC＝25℃ unless otherwise noted） ■熱抵抗特性 Thermal Characteristics Ｍ Ｏ Ｓ Ｆ Ｅ Ｔ モ ジ ュ ー ル |
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