Semiconductor Group

1

1997-11-01

GaAs-IR-Lumineszenzdiode

GaAs Infrared Emitter

SFH 409

Typ

Type

Bestellnummer

Ordering Code

Gehäuse

Package

SFH 409

Q62702-P860

3-mm-LED-Gehäuse (T 1), grau eingefärbt, An-

Kathodenkennzeichnung: kürzerer Anschluß

3 mm LED package (T 1), grey-colored epoxy resin,

cathode marking: short lead

Q62702-P1001

SFH 409-2

Q62702-P1002

Wesentliche Merkmale

q

GaAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt im

Schmelzepitaxieverfahren

q

Hohe Zuverlässigkeit

q

Hohe Impulsbelastbarkeit

q

Gruppiert lieferbar

q

Gehäusegleich mit SFH 309, SFH 487

Anwendungen

q

Lichtschranken für Gleich- und

Wechsellichtbetrieb

q

IR Fernsteuerungen

Features

q

GaAs infrared emitting diode, fabricated in a

liquid phase epitaxy process

q

High reliability

q

High pulse handling capability

q

Available in groups

q

Same package as SFH 309, SFH 487

Applications

q

Photointerrupters

q

IR remote control of various equipment

Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

1.8

1.2

29

27

6.3

5.9

(3.5)

4.1

3.9

5.2

4.5

0.6

0.4

4.0

3.6

0.6

0.4

Approx. weight 0.3 g

Chip position

Area not flat

GEX06250

Cathode

Anode

(SFH 487)

(SFH 409)