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P1B52HP2 Datasheet(PDF) 1 Page - Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd |
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P1B52HP2 Datasheet(HTML) 1 Page - Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd |
1 / 4 page 単位 Uni t 規格値 Rat i ngs 条 件 Condi t i ons 記号 Symbol 項 目 I t em ℃ -55~150 Tstg 保存温度 St or ageT emper at ur e 150 Tch チャネル温度 Channel T emper at ur e V 525 VDSS ドレイン・ソース間電圧 Dr ai n- Sour ceVol t age ±30 VGSS ゲート・ソース間電圧 Gat eSour ceVol t age A 1 ID ドレイン電流(直流) Cont i nuousDr ai nCur r ent( DC) 4 パルス幅 10 μs,dut y=1/100 Pul s ewi dt h10µs ,dut y=1/ 100 IDP ドレイン電流(ピーク) Cont i nuousDr ai nCur r ent( Peak ) 1 IS ソース電流(ピーク) Cont i nuousSour ceCur r ent (DC) W 35 PT 全損失 T ot al PowerDi s s i pat i on A 1 Starti ngTch=25℃,Tch≦150℃ IAR 繰り返しアバランシェ電流 Repet i t i v eAv al ancheCur r ent mJ 10 Starti ngTch=25℃,Tch≦150℃ EAS 単発アバランシェエネルギー Si ngl eAv al ancheEner gy mJ 1 Starti ngTch=25℃,Tch≦150℃ EAR 繰り返しアバランシェエネルギー Repet i t i v eAv al ancheEner gy A/μs 350 Is=1A,Tc=25℃ di /dt ドレイン・ソースダイオード di /dt耐量 Dr ai n- Sour ceDi odedi / dtSt r engt h P1B52HP2 525V1A ■定格表 RATI NGS ●絶対最大定格 Absol ut eMaxi mum Rat i ngs (指定のない場合 Tc=25℃/unl essotherwi sespeci fi ed) ●電気的・熱的特性 El ect r i calChar act er i st i cs (指定のない場合 Tc=25℃/unl essotherwi sespeci fi ed) Uni t:mm ■外観図 OUTLI NE 単位 Uni t 規格値 Rati ngs 条 件 Condi t i ons 記号 Symbol 項 目 I t em MAX TYP MIN V ─ ─ 525 ID=1mA,VGS=0V V(BR)DSS ドレイン・ソース間降伏電圧 Dr ai n- Sour ceBr eak downVol t age μA 100 ─ ─ VDS=525V,VGS=0V IDSS ドレイン遮断電流 Zer oGat eVol t ageDr ai nCur r ent ±10 ─ ─ VGS=±25V,VDS=0V IGSS ゲート漏れ電流 Gat e- Sour ceLeak ageCur r ent S ─ 1. 0 0. 4 ID=0. 5A,VDS=10V gfs 順伝達コンダクタンス For war dT r ans conduct ance Ω 7. 2 6. 0 ─ ID=0. 5A,VGS=10V R(DS)ON ドレイン・ソース間オン抵抗 St at i cDr ai n- Sour ceOn- s t at eRes i s t ance V 4. 50 3. 75 3. 00 ID=1mA,VDS=10V VTH ゲートしきい値電圧 Gat eThr es hol dVol t age 1. 5 ─ ─ IS=0. 5A,VGS=0V VSD ソース・ドレイン間ダイオード順電圧 Sour ce- Dr ai nDi odeFor war dVol t age ℃/W 3. 55 ─ ─ 接合部・ケース間 J unct i ont ocas e θjc 熱抵抗 Ther mal Res i s t ance nC ─ 4. 3 ─ VDD=400V,VGS=10V,ID=1A Qg ゲート全電荷量 T ot al Gat eChar ge pF ─ 125 ─ VDS=50V,VGS=0V,f=1MHz Ci ss 入力容量 I nputCapaci t ance ─ 3. 5 ─ Crss 帰還容量 Rev er s eT r ans f erCapaci t ance ─ 20 ─ Coss 出力容量 Out putCapaci t ance ns ─ 9 ─ ID=0. 5A,RL=300Ω,VDD=150V,Rg=50Ω, VGS(+)=10V,VGS(-)=0V td (on) ターンオン遅延時間 T ur n- ondel ayt i me ─ 7 ─ tr 上昇時間 Ri s et i me ─ 28 ─ td (off) ターンオフ遅延時間 T ur n- of fdel ayt i me ─ 18 ─ tf 降下時間 Fal l t i me PowerMOSFET Package:FB www. s hi ndengen. co. j p/ pr oduct / s emi / (MOS-p〈2014.03〉) Nch 外形図については新電元 Webサイトをご参照下さい。捺印表示については 捺印仕様をご確認下さい。 Fordet ai l soft heout l i nedi mensi ons,r ef ert oourweb si t e.Asf ort he mar ki ng,r ef ert ot hespeci f i cat i on"Mar ki ng,Ter mi nalConnect i on". ① ② ③ ④ G D S D : : : : ④ 6.6 2.3 P1B52H2 000000 Type No. 品名略号 Lot Control No. ロット管理記号(例) ③ ② ① 2.3 2.3 特長 煙 面実装タイプ 煙 高耐圧 煙 低ノイズ 煙 高アバランシェ耐量、高 di / dt耐量 Feat ur e 煙 SMD 煙 Hi ghVol t age 煙 LowNoi se 煙 Hi ghAval ancheDur abi l i t y,Hi ghdi / dtDur abi l i t y |
Similar Part No. - P1B52HP2 |
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Similar Description - P1B52HP2 |
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