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P20F50HP2 Datasheet(PDF) 2 Page - Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd |
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2 / 4 page  www. s hi ndengen. co. j p/ pr oduct / s emi / （MOSFET〈2012.06〉） ■特性図 CHARACTERI STI C DI AGRAMS ０ ３２ ４０ ２４ １６ ８ ０５ １０ ２０ １５ Pulse measurement Drain・Source Voltage VDS〔V〕 TC=２５℃ TYP VVGS GS ==５ ５VV VVGS GS ==６ ６VV VGS=６V VGS=５V 出力特性 Typical Output Characteristics 伝達特性 Transfer Characteristics ０５ １０ ２０ １５ Pulse measurement Gate・Source Voltage VGS〔V〕 VDS=２０V TYP ０ ２５ ４０ ３５ ３０ １５ ５ ２０ １０ Pulse measurement VDS=２０V TYP １００ １００℃ ℃ １５０ １５０℃ ℃ １００℃ １５０℃ ドレイン・ソース間オン抵抗─ドレイン電流 Static Drain-Source On-state Resistance vs Drain Current １ ５ ０． ０５ ０． １ ０． １ １０ ４０ １ VGS＝10V Tc＝２５℃ TYP Pulse measurement Drain Current ID〔A〕 −５５ ０ １００ １５０ ５０ ゲートしきい値電圧─ケース温度 Gate Threshold Voltage vs Case Temperature ６ ５ ０ ４ ３ ２ １ VDS＝１０V ID=１mA TYP Pulse measurement Case Temperature Tc〔℃〕 ドレイン・ソース間オン抵抗─ケース温度 Static Drain-Source On-state Resistance vs Case Temperature １０ １ ０． ０１ ０． １ −５５ ０ １００ １５０ ５０ VGS＝10V pulse test TYP Pulse measurement Case Ｔemperature Tc〔℃〕 IIDD==１０ １０A A ID=１０A 安全動作領域 Safe Operating Area １０ ４０ ６０ ８０ ２００ １００ ０． ０１ ０． １ １ ２０ １０ １ ５００ １００ １０００ Tc＝２５℃ Single pulse DC DC DC 10ms 10ms 10ms 1ms 1ms 1ms 100μs 100μs 100μs 10μs 10μs 10μs Drain・Source Voltage VDS〔V〕 過渡熱抵抗 Transient Thermal Impedance １０ ０.００１ ０.０１ １ ０.１ １０−４ １０−５ １０−３ １０−２ １０−１ １００ １０１ １０2 Time t〔s〕 ０ １００ ６０ ８０ ４０ ２０ 全損失減少率─ケース温度 Power Derating - Case Temperature ０ ２５ ５０ ７５ １２５ １５０ １００ Case Temperature Tc〔℃〕 VVＧＧSS VＧS VVDS DS VDS ０ １６ ２０ １２ ４ ８ ゲートチャージ特性 ０ ５００ ３００ ４００ ２００ １００ Gate Charge Characteristics ０ １２ ２４ ６０ ４８ ３６ ID=２０A TYP Total Gate Charge Qg〔nC〕 VVDD DD ==４００ ４００Ｖ Ｖ ２００ ２００Ｖ Ｖ １００ １００Ｖ Ｖ VDD=４００Ｖ ２００Ｖ １００Ｖ VDD=100V VGS=15V, −0V Rg=50Ω 単発アバランシェ電流-インダクタンス Single Avalanche Current vs Inductive Load ０.１ １ １０ ２０ １００ ０.００1 ０.０1 ０.1 １ １０ １００ Inductance L〔mH〕 IIAS AS ==２０ ２０A A EEAS AS ==９０ ９０mJ mJ IAS=２０A EAR=９mJ EAS=９０mJ 単発アバランシェエネルギー減少率 - チャネル温度 Single Avalanche Energy Derating vs Channel Temperature １００ ０ ８０ ６０ ４０ ２０ ０ ５０ １００ １５０ Starting Channel Temperature Tch〔℃〕 Ｔｃ= −５５℃ = ２５℃ RDS（ON）Limited （at VGS=10V） Power Dissipation Limited Ｃｉｓｓ Ｃｉｓｓ Ｃｉｓｓ Ｃoｓｓ Ｃoｓｓ Ｃoｓｓ Ｃrｓｓ Ｃrｓｓ Ｃrｓｓ キャパシタンス特性 Capacitance Characteristics １００００ １０００ １００ １ １０ Tc＝２５℃ f＝１MHz TYP ０ ３００ ５００ ４００ １００ ２００ Drain・Source Voltage VDS〔Ｖ〕 VVGS GS ==１０ １０VV VGS=１０V ８ ８VV ８V P20F50HP2 ＊Si newaveは50Hzで測定しています。 ＊ 50Hzsi newavei susedf ormeasur ement s. Page:59 |
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