 |
Electronic Components Datasheet Search |
|
|
Electronic Components Datasheet Search |
|
PGH75N16 Datasheet(PDF) 2 Page - National Instruments Corporation |
|
||||||||||||||||||||||||||||||
PGH75N16 Datasheet(HTML) 2 Page - National Instruments Corporation |
|
|
2 / 4 page  ダイオードブリッジ部(6 素子) Part of Diode Bridge(6 dies) ■電気的特性 Electrical Characteristics 項 目 Parameter 記 号 Symbol 条件 Conditions 特性値（最大） MaximumValue 単位 Unit ピーク逆電流 *1 PeakReverseCurrent IRM Tj=125℃, VRM=VRRM 5 mA ピーク順電圧 *1 PeakForwardVoltage VFM Tj=25℃, IFM=75A 1.25 V 熱抵抗 ThermalResistance Rth(j-c) 接合部―ｹｰｽ間(ﾄｰﾀﾙ) JunctiontoCase,Total 0.09 ℃ /Ｗ *1：1 ｱｰﾑ当たりの値 Value Per 1 Arm. サイリスタ部(１素子) Part of Thyristor(1 die) ■最大定格 Maximum Rating 項 目 Parameter 記 号 Symbol 定格値 Max.RatedValue 単位 Unit くり返しﾋﾟｰｸオフ電圧 *2 RepetitivePeakOff-StateVoltage VDRM 1600 V 非くり返しﾋﾟｰｸオフ電圧 *2 Non-RepetitivePeakOff-StateVoltage VDSM 1700 V *2：逆電圧を印加しないこと Can not be Biased for Thyristor 項 目 Parameter 記号 Symbol 条件 Conditions 定格値 Max.RatedValue 単位 Unit サージオン電流 SurgeOn-StateCurrent I ＴSM 50Hz 正弦半波，1 ｻｲｸﾙ，非くり返し HalfSineWave,1Pulse,Non-Repetitive 1200 A 電流二乗時間績 ISquaredt I2t 2～10ms 7200 A2ｓ 臨界オン電流上昇率 CriticalRateofRiseofTurned-OnCurrent di/dt VD=2/3VDRM, ITM = 2・Io, Tj=125℃ IG=200mA, diG/dt=0.2A/μs 100 A/μs ピークゲート電力損失 PeakGatePower PGM 5 W 平均ゲート電力損失 AverageGatePower PG(AV) 1 W ピークゲート電流 PeakGateCurrent IGM 2 A ピークゲート電圧 PeakGateVoltage VGM 10 V ピークゲート逆電圧 PeakGateReverseVoltage VRGM 5 V ■電気的特性 Electrical Characteristics 項 目 Parameter 記 号 Symbol 条 件 Conditions 特性値（最大） MaximumValue 単位 Unit 最小 Min 標準 Typ 最大 Max ピークオフ電流 PeakOff-StateCurrent IDM Tj=125℃, VDM=VDRM 15 mA ピークオン電圧 PeakOff-StateVoltage VTM Tj=25℃, ITM=75A 1.20 V トリガゲート電流 GateCurrenttoTrigger IGT VD=6V, IT=1A Tj=－40℃ 200 mA Tj= 25℃ 100 Tj=125℃ 50 トリガゲート電圧 GateVoltagetoTrigger VGT VD=6V, IT=1A Tj=－40℃ 4.0 V Tj= 25℃ 2.5 Tj=125℃ 2.0 非トリガゲート電圧 GateNon-TriggerVoltage VGD Tj=125℃, VD=2/3VDRM 0.25 V 臨界オフ電圧上昇率 CriticalRateof RiseofOff-StateVoltage dv/dt Tj=125℃, VD=2/3VDRM 500 V/μs ターンオフ時間 Turn-OffTime tq Tj=125℃, ITM=Io, VD=2/3VDRM dv/dt=20V/μs, VR=100V, ‐di/dt= 20A/μs 150 μ s ターンオン時間 Turn-OnTime tgt Tj=25℃, VD=2/3VDRM, IT=3・IO IG=200mA, diG/dt=0.2A/μs 6 μ s |
Similar Part No. - PGH75N16_15 |
|
Similar Description - PGH75N16_15 |
|
|
|
Link URL |
| Privacy Policy |
| ALLDATASHEET.NET |
| Does ALLDATASHEET help your business so far? [ DONATE ] |
About Alldatasheet | Advertisement | Contact us | Privacy Policy | Link Exchange | Manufacturer List All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |
English ▼
English
Chinese
German
Japanese
Russian
Korean
Spanish
French
Italian
Portuguese
Polish
Vietnamese
Indian
Mexican
British
New Zealand
