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PGH1008AM Datasheet(PDF) 2 Page - National Instruments Corporation |
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PGH1008AM Datasheet(HTML) 2 Page - National Instruments Corporation |
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2 / 3 page  ─ 291 ─ ■電気的特性 Electrical Characteristics ＊1：１アーム当りの値 Value Per 1 Arm. サイリスタ部（1素子） Part of Thyristor（1die） ■最大定格 Maximum Ratings ■電気的特性 Electrical Characteristics 項 目 Parameter 記号 Symbol 条 件 Conditions 特性値（最大） Maximum Value 単位 Unit ピーク逆電流 ＊1 Peak Reverse Current IRM Tj=125℃，VRM=VRRM 15 mA ピーク順電圧 ＊1 Peak Forward Voltage VFM Tj= 25℃，IFM=100A 1.16 V 熱抵抗 Thermal Resistance Rth （j-c） 接合部−ケース間（トータル） Junction to Case, Total 0.24 ℃/W 項 目 Parameter 記号 Symbol 耐圧クラス Grade 単位 Unit PGH1008AM くり返しピークオフ電圧 Repetitive Peak Off-State Voltage VDRM 800 V 非くり返しピークオフ電圧 Non Repetitive Peak Off-State Voltage VDSM 900 V くり返しピーク逆電圧 Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM 800 V 非くり返しピーク逆電圧 Non Repetitive Peak Reverse Voltage VRSM 900 V 項 目 Parameter 記号 Symbol 条 件 Conditions 定格値 Max. Rated Value 単位 Unit サージオン電流 Surge On-State Current ITSM 50Hz正弦半波，１サイクル，非くり返し Half Sine Wave, 1Pulse, Non-Repetitive 2000 A 電流二乗時間積 I Squared t I 2t ２∼10ms 20000 A 2 s 臨界オン電流上昇率 Critical Rate of Rise of Turned-On Current di/dt VD=2/3VDRM，ITM=2・IO，Tj＝125℃ IG=200mA，diG/dt=0.2A/μs 100 A/μs ピークゲート電力損失 Peak Gate Power PGM 5W 平均ゲート電力損失 Average Gate Power PG （AV） 1W ピークゲート電流 Peak Gate Current IGM 2A ピークゲート電圧 Peak Gate Voltage VGM 10 V ピークゲート逆電圧 Peak Gate Reverse Voltage VRGM 5V 項 目 Parameter 記号 Symbol 条 件 Conditions 特性値（最大） Maximum Value 単位 Unit 最小 Min. 標準 Typ. 最大 Max. ピークオフ電流 Peak Off-State Current IDM Tj=125℃，VDM=VDRM 20 mA ピークオン電圧 Peak On-State Voltage VTM Tj=25℃，ITM=100A 1.13 V トリガゲート電流 Gate Current to Trigger IGT VD=6V，IT=1A Tj=−40℃ 200 mA Tj= 25℃ 100 mA Tj= 125℃ 50 mA トリガゲート電圧 Gate Voltage to Trigger VGT VD=6V，IT=1A Tj=−40℃ 4.0 V Tj= 25℃ 2.5 V Tj= 125℃ 2.0 V 非トリガゲート電圧 Gate Non-Trigger Voltage VGD Tj=125℃，VD=2/3VDRM 0.25 V 臨界オフ電圧上昇率 Critical Rate of Rise of Off-State Voltage dv/dt Tj=125℃，VD=2/3VDRM 500 V/μs ターンオフ時間 Turn-Off Time tq Tj=125℃，ITM=IO，VD=2/3VDRM dv/dt=20V/μs， VR=100V， −di/dt=20A/μs 150 μs ターンオン時間 Turn-On Time tgt Tj=25℃，VD=2/3VDRM，ITM=3・IO IG=200mA，diG/dt=0.2A/μs 6 μs 遅れ時間 Delay Time td 2 μs 立上がり時間 Rise Time tr 4 μs ラッチング電流 Latching Current IL Tj=25℃ 100 mA 保持電流 Holding Current IH Tj=25℃ 80 mA 熱抵抗 Thermal Resistance Rth （j-c） 接合部−ケース間 Junction to Case 0.5 ℃/W ─ |
Similar Part No. - PGH1008AM_15 |
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