Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

Die 3EZ 1 ist eine in Durchlaß betriebene Einzelchip-Diode.

Die durch den Ring gekennzeichnete Kathode ist mit dem Minuspol zu verbinden.

216

28.02.2002

3EZ 1 … 3EZ 200 (3 W)

Silicon-Power-Z-Diodes

Silizium-Leistungs-Z-Dioden

(non-planar technology)

(flächendiffundierte Dioden)

Maximum power dissipation

3 W

Maximale Verlustleistung

Nominal Z-voltage – Nominale Z-Spannung

1…200 V

Plastic case

DO-15

Kunststoffgehäuse

DO-204AC

Weight approx. – Gewicht ca.

0.4 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

Dimensions / Maße in mm

Standard packaging taped in ammo pack

see page 16

Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack

siehe Seite 16

Standard Zener voltage tolerance is graded to the international E 24 (~5%) standard.

Other voltage tolerances and higher Zener voltages on request.

Die Toleranz der Zener-Spannung ist in der Standard-Ausführung gestuft nach der

internationalen Reihe E 24 (~5%). Andere Toleranzen oder höhere Arbeitsspannungen auf

Anfrage.

Maximum ratings and Characteristics

Grenz- und Kennwerte

Power dissipation – Verlustleistung

T

tot

Non repetitive peak power dissipation, t < 10 ms

T

ZSM

60 W

Einmalige Impuls-Verlustleistung, t < 10 ms

Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur

T

j

– 50…+150

Storage temperature – Lagerungstemperatur

T

S

– 50…+175

Thermal resistance junction to ambient air

R

thA

Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft

Thermal resistance junction to lead

R

thL

< 15 K/W

Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlußdraht

Zener voltages see table on next page – Zener-Spannungen siehe Tabelle auf der nächsten Seite