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BAV19 Datasheet(PDF) 1 Page - Diotec Semiconductor |
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BAV19 Datasheet(HTML) 1 Page - Diotec Semiconductor |
1 / 2 page BAV19 ... BAV21 BAV19 ... BAV21 Superfast Recovery Rectifier Diodes Gleichrichterdioden mit superschnellem Sperrverzug IFAV = 250 mA VF < 1 V Tjmax = 200°C VRRM = 120 V...250 V IFSM = 5 A trr < 50 ns Version 2015-11-20 ~DO-35 / ~(SOD-27) Dimensions - Maße [mm] Typical Applications Signal processing, High-speed switching Commercial grade 1) Typische Anwendungen Signalverarbeitung, Schnelles Schalten Standardausführung 1) Features Very high switching speed Low junction capacitance Low leakage current Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) Besonderheiten Extrem schnelles Schalten Niedrige Sperrschichtkapazität Niedriger Sperrstrom Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1) Taped in ammo pack 5000 Gegurtet in Ammo-Pack Weight approx. 1.7 g Gewicht ca. Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL N/A Maximum ratings 2) Grenzwerte 2) Type Typ Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] BAV19 100 120 BAV20 150 200 BAV21 200 250 Max. power dissipation Max. Verlustleistung TA = 25°C Ptot 500 mW 3) Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TA = 25°C IFAV 250 mA 3) Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 650 mA 3) Peak forward surge current, t ≤ 1 µs Stoßstrom, t ≤ 1 µs TA = 25°C IFSM 5 A Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS -50...+200°C -50...+200°C 1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches 2 Tj = 25°C unless otherwise specified – Tj = 25°C wenn nicht anders angegeben 3 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 Ø 1.9±0.1 Ø max 0.5 Pb RoHS |
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