MMBT4403

MMBT4403

PNP

Surface Mount General Purpose Si-Epi-Planar Transistors

Si-Epi-Planar Universaltransistoren für die Oberflächenmontage

PNP

Version 2015-05-12

Dimensions - Maße [mm]

1 = B

2 = E

3 = C

Power dissipation – Verlustleistung

250 mW

Plastic case

Kunststoffgehäuse

SOT-23

(TO-236)

Weight approx. – Gewicht ca.

0.01 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

Standard packaging taped and reeled

Standard Lieferform gegurtet auf Rolle

MMBT4403

Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung

B open

40 V

Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung

E open

40 V

Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung

C open

5 V

Power dissipation – Verlustleistung

250 mW 1)

Collector current – Kollektorstrom (dc)

600 mA

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

-55...+150°C

-55…+150°C

Min.

Typ.

Max.

DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis 2)

30

60

100

100

20

–

–

–

–

–

–

–

–

300

–

Small signal current gain – Kleinsignal-Stromverstärkung

60

–

500

Input impedance – Eingangs-Impedanz

1.5 kΩ

–

15 kΩ

Output admittance – Ausgangs-Leitwert

1 µS

–

30 µS

Reverse voltage transfer ratio – Spannungsrückwirkung

–

–

–

–

–

0.40 V

0.75 V

1

2

© Diotec Semiconductor AG

http://www.diotec.com/

1

1.1

+0.1

1

2

3

Type

Code

-0.05

-0.2