SCA(SCE)160DA

Peak Forward Gate Voltage

定格ピークゲート順電圧（10V）

Peak Gate Power

定格ピークゲート損失

（10W）

Minimum Gate Non-Trigger

最小非トリガ電圧

Average Gate Power

定格平均ゲート損失

（3W）

Gate Characteristics

ゲートトリガ特性

Gate Current

ゲート電流（mA）

1

0.1

10

100

1000

100

10

10000

125℃

−30℃

−30℃

25℃

25℃

ゲート電圧

（V）

25℃ MAX

25℃ MAX

25℃ TYP

25℃ TYP

125℃ MAX

125℃ MAX

125℃ TYP

125℃ TYP

Maximum On Characteristics

最大順特性

600

400

200

800

1400

1200

1000

1800

1600

2000

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

0

オン電

流

（A）

（Tj＝25℃ unless otherwise specified／指定なき場合はTj＝25℃とする）

min.

最小

typ.

標準

max.

最大

Repetitive Peak Off-state Current

オフ電流

Tj

100

mA

*Repetitive Peak Reverse Current

＊逆電流

Tj

100

mA

*On-state

（Forward）Voltage

＊オン（順）電圧

＝500A

1.4

V

*Threshold Voltage

＊閾値電圧

Tj

＝25℃

1.07

V

Tj

＝125℃

0.87

rt

*Dynamic Resistance

＊オン抵抗

Tj

＝25℃

1.50

m

Ω

Tj

＝125℃

0.96

Gate Trigger Current

ゲートトリガ電流

100

mA

Gate Trigger Voltage

ゲートトリガ電圧

3

V

Gate Non-Trigger Voltage

ゲート非トリガ電圧

Tj

0.25

V

tgt

Turn-on Time

ターンオン時間

10

μs

dv/dt

Critical Rate of Rise of Off-state Voltage

臨界オフ電圧上昇率

Tj

1000

V/

μs

Holding Current

保持電流

140

mA

Latching Current

ラッチング電流

230

mA

Rth

（j-c） *Thermal Resistance

＊熱抵抗

cont., Junction to case, per one element

0.17

℃/W

Rth

（j-c） *Effective Thermal Resistance

＊実効熱抵抗

sin.180

°,Junction to case, per one element

0.18

℃/W

rec.120

°,Junction to case, per one element

0.19

Rth

（c-s） *Interface Thermal Resistance

＊接触熱抵抗

Case to Heat sink, per one element

ケース―ヒートシンク間, 単位エレメント当り

Thermal conductivity

0.1

℃/W

*mark: Thyristor and Diode part. No mark: Thyristor part.

注）上表中＊印の項目は、サイリスタ部及びダイオード部の両方に適用します。その他の項目は主にサイリスタ部に適用します。