FS800R07A2E3_14 datasheet(2/10 Pages) INFINEON

Part #	FS800R07A2E3

Description	HybridPACK?? Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und NTC

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Manufacturer	INFINEON [Infineon Technologies AG]

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TechnischeInformation/TechnicalInformation

FS800R07A2E3

IGBT-Modul

IGBT-Module

preparedby:WJ

approvedby:MM

dateofpublication:2014-10-30

revision:3.2

IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter

HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

Collector-emittervoltage

Tvj = 25°C

VCES

650

V

ImplementierterKollektor-Strom

Implementedcollectorcurrent

ICN

800

A

Kollektor-Dauergleichstrom

ContinuousDCcollectorcurrent

TF = 75°C, Tvj max = 175°C

TF = 25°C, Tvj max = 175°C

IC nom

IC

550

700

A

PeriodischerKollektor-Spitzenstrom

Repetitivepeakcollectorcurrent

tP = 1 ms

ICRM

1600

A

Gesamt-Verlustleistung

Totalpowerdissipation

TF = 25°C, Tvj max = 175°C

Ptot

1500

W

Gate-Emitter-Spitzenspannung

Gate-emitterpeakvoltage

VGES

+/-20

V

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues

min.

typ.

max.

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung

Collector-emittersaturationvoltage

IC = 550 A, VGE = 15 V

VCE sat

1,30

1,35

1,40

1,60

V

Tvj = 25°C

Tvj = 125°C

Tvj = 150°C

Gate-Schwellenspannung

Gatethresholdvoltage

IC = 13,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C

VGEth

4,90

5,80

6,50

V

Gateladung

Gatecharge

VGE = -15 V ... +15 V

QG

8,60

µC

InternerGatewiderstand

Internalgateresistor

Tvj = 25°C

RGint

0,5

Ω

Eingangskapazität

Inputcapacitance

f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V

Cies

52,0

nF

Rückwirkungskapazität

Reversetransfercapacitance

f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V

Cres

1,50

nF

Kollektor-Emitter-Reststrom

Collector-emittercut-offcurrent

VCE = 650 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C

ICES

5,0

mA

Gate-Emitter-Reststrom

Gate-emitterleakagecurrent

VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C

IGES

400

nA

Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast

Turn-ondelaytime,inductiveload

IC = 550 A, VCE = 300 V

VGE = ±15 V

RGon = 1,8

Ω

td on

0,12

0,13

µs

Tvj = 25°C

Tvj = 125°C

Tvj = 150°C

Anstiegszeit,induktiveLast

Risetime,inductiveload

IC = 550 A, VCE = 300 V

VGE = ±15 V

RGon = 1,8

Ω

tr

0,10

µs

Tvj = 25°C

Tvj = 125°C

Tvj = 150°C

Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast

Turn-offdelaytime,inductiveload

IC = 550 A, VCE = 300 V

VGE = ±15 V

RGoff = 0,75

Ω

td off

0,51

0,53

0,55

µs

Tvj = 25°C

Tvj = 125°C

Tvj = 150°C

Fallzeit,induktiveLast

Falltime,inductiveload

IC = 550 A, VCE = 300 V

VGE = ±15 V

RGoff = 0,75

Ω

tf

0,04

0,06

0,07

µs

Tvj = 25°C

Tvj = 125°C

Tvj = 150°C

EinschaltverlustenergieproPuls

Turn-onenergylossperpulse

IC = 550 A, VCE = 300 V, LS = 20 nH

VGE = ±15 V, di/dt = 5500 A/µs (Tvj = 150°C)

RGon = 1,8

Ω

Eon

10,5

12,0

12,5

mJ

Tvj = 25°C

Tvj = 125°C

Tvj = 150°C

AbschaltverlustenergieproPuls

Turn-offenergylossperpulse

IC = 550 A, VCE = 300 V, LS = 20 nH

VGE = ±15 V, du/dt = 2700 V/µs (Tvj = 150°C)

RGoff = 0,75

Ω

Eoff

21,0

25,0

26,0

mJ

Tvj = 25°C

Tvj = 125°C

Tvj = 150°C

Kurzschlußverhalten

SCdata

VGE

≤ 15 V, VCC = 360 V

VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt

ISC

5600

4000

A

Tvj = 25°C

Tvj = 150°C

tP

≤ 8 µs,

tP

≤ 6 µs,

Wärmewiderstand,ChipbisKühl-Flüssigkeit

Thermalresistance,junctiontocoolingfluid

proIGBT/perIGBT

coolingfluid=50%water/50%ethylenglycol;

∆V/∆t=

10,0dm³/min

RthJF

0,10

K/W

TemperaturimSchaltbetrieb

Temperatureunderswitchingconditions

Tvj op

-40

150

°C

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