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HBR2200 Datasheet(PDF) 2 Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. |
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HBR2200 Datasheet(HTML) 2 Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. |
2 / 5 page R HBR2200 版本 (Rev.):201303B 2/5 绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃) 项 目 Parameter 符 号 Symbol 数 值 Value 单 位 Unit 最大反向重复峰值电压 Repetitive peak reverse voltage VRRM 200 V 最大直流阻断电压 Maximum DC blocking voltage VDC 200 V 正向平均整流电流 TC=125℃ Average Rectified Forward Current IF(AV) 2 A 正向峰值浪涌电流 Surge non repetitive forward current (额定负载 8.3ms 半正弦波—按 JEDEC 方法) 8.3 ms single half-sine-wave (JEDEC Method) IFSM 80 A 最高结温 Maximum junction temperature Tj 175 ℃ 储存温度 Storage temperature range TSTG -40~+150 ℃ 电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS 热特性 THERMAL CHARACTERISTICS 项 目 Parameter 符 号 Symbol 最小值 Value(min) 最大值 Value(max) 单 位 Unit 结到管壳的热阻 Thermal resistance from junction to Ambient DO-15 Rth(j-a) 35 /W ℃ 项 目 Parameter 测试条件 Tests conditions 最小值 Value(min) 典型值 Value(typ) 最大值 Value(max) 单位 Unit Tj =25℃ 10 μA IR Tj =125℃ VR=VRRM 5 mA Tj =25℃ 0.78 0.85 V Tj =125℃ IF=2A 0.68 0.72 V Tj =25℃ 0.82 0.92 V VF Tj =125℃ IF=3A 0.72 0.75 V |
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