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TG-2825CB Datasheet(PDF) 1 Page - Epson ToYoCom |
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TG-2825CB Datasheet(HTML) 1 Page - Epson ToYoCom |
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1 / 1 page  70 TG-2824CB/2825CB ● CDMA方式携帯電話用に開発（低ノイズレベル：-120 dBc/ Hz Typ. at 100 Hz offset, f0=19.68 MHz） ● パワーセービング機能 （スタンバイ機能） 内蔵（TG-2824CB） ● リフロー可能な高密度実装対応超小型SMD（5.0×3.2×1.5 mm） ● 耐熱AT 振動子内蔵で、汎用SMD ICと同等の耐熱性を実現 ● 電源電圧：2.8 V ■仕 様（特性） 温度補償水晶発振器 項 目 記 号 仕 様 条 件 出 力 周 波 数 範 囲 最 大 供 給 電 圧 動 作 電 圧 電 源 電 圧 fO VCC-GND VCC TSTG 保 存 温 度 動 作 温 度 TOPR 12.5000 MHz∼19.8000 MHz 標準：19.2000, 19.6800, 19.8000 MHz -0.3 V∼6.0 V TG-2824CB TG-2825CB 2.8 V±0.14 V -40 ˚C∼+85 ˚C -30 ˚C∼+80 ˚C 温 度 範 囲 周 波 数 初 期 偏 差 周 波 数 温 度 特 性 負 荷 変 動 特 性 消 費 電 流 周 波 数 可 変 範 囲 周 波 数 変 化 極 性 周 波 数 経 時 変 化 D u t y 出 力 電 圧 出 力 負 荷 ±1.5 × 10 -6 Max. ±2.0 × 10 -6 Max. ±0.2 × 10 -6 Max. 1.8 mA Max. 50 µA Max. – 正極性 30%∼70% 0.8 V Min. 9 pF∼11 pF 9 kΩ∼11 kΩ ±1 × 10 -6 Max. ±5.5 × 10-6 ∼±11 × 10-6 f/fO ICC Duty VOUT RL CL fa VC=1.4 V, +25 ˚C ±2 ˚C 単品での保存 VC- GND (DC), VCC=1.4 V 10 kΩ// 10pF± 10% ±0.3 × 10 -6 Max. 2.8 V ± 5% -30 ˚C∼+80 ˚C（+25 ˚C基準） VCC=2.8 V, 10 kΩ// 10pF STBY=GND（DC cut） VCC=2.8 V, 10 kΩ// 10pF STBY=VCC GNDレベル（DC cut） Peak to peak ■外形寸法図 原 寸 大 （単位：mm） fT fL 電 源 電 圧 変 動 特 性 fV fC DC cut capacitor = 0.01 µF Ta=+25 ˚C ,初年度 NO. ピン端子 5.0±0.2 1.1 0.8 2.6 #2 #4 #5 #6 #1 #3 E 19.680 U9A1D 1 2 3 4 5 6 VC NC GND OUT STBY VCC NO. ピン端子 1 2 3 4 VC GND OUT VCC 上記以外の仕様については、お問い合わせください。 入 力 抵 抗 800 kΩ Min. ZIN 製品型番（２ページを参照） Q3703CB0xxxxx00 Q3704CB0xxxxx00 5.0±0.2 1.1 2.6 #3 #4 #1 #2 E 19.680 W9A1D ●TG-2824CB ●TG-2825CB ■推奨はんだ付けパターン図 （単位：mm） ●TG-2824CB ●TG-2825CB 3.9 1.95 1.3 1.0 3.9 1.3 ※斜線範囲には、GND以外のパターンを配線しないでください。 ※図と異なるはんだ付けパターンが必要となる場合はお問い合せください。 12.5 MHz≦f0≦19 MHz：周波数可変範囲については お問い合わせください 12.5 MHz≦f0≦19 MHz：お問い合わせください VC=1.4 V±1.0 V, 19 MHz＜f0≦19.8 MHz Crystal oscillator |
Similar Part No. - TG-2825CB |
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