BC337 / BC338

Min.

Typ.

Max.

–

–

1.2 V

Collector-Emitter cutoff current – Kollektor-Emitter-Reststrom

BC337

BC338

–

–

2 nA

2 nA

100 nA

100 nA

BC337

BC338

–

–

–

–

10 µA

10 µA

Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz

–

100 MHz

–

Collector-Base Capacitance – Kollektor-Basis-Kapazität

–

12 pF

–

Thermal resistance junction to ambient air

Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft

Recommended complementary PNP transistors

Empfohlene komplementäre PNP-Transistoren

BC327 / BC328

Available current gain groups per type

Lieferbare Stromverstärkungsgruppen pro Typ

BC337-16

BC337-25

BC337-40

BC338-16

BC338-25

BC338-40

2

1

Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case

Gültig wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

2

http://www.diotec.com/

© Diotec Semiconductor AG

[%]

P

tot

120

100

80

60

40

20

0

[°C]

T

A

150

100

50

0

Power dissipation versus ambient temperature )

Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp. )

1

1