TIP120 ... TIP122

TIP120 ... TIP122

NPN

Si-Epitaxial Planar Darlington Power Transistors

Si-Epitaxial Planar Darlington-Leistungs-Transistoren

NPN

Version 2006-10-17

Dimensions - Maße [mm]

1 = B

2/4 = C

3 = E

Max. power dissipation with cooling

Max. Verlustleistung mit Kühlung

65 W

Collector current

Kollektorstrom

5 A

Plastic case

Kunststoffgehäuse

TO-220AB

Weight approx.

Gewicht ca.

2.2 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

Standard packaging in tubes

Standard Lieferform in Stangen

TIP120

TIP121

TIP122

Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spg.

B open

60 V

80 V

100 V

Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spg.

E open

60 V

80 V

100 V

Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung

C open

5 V

Power dissipation – Verlustleistung

without cooling – ohne Kühlung

with cooling – mit Kühlung

65 W

Collector current – Kollektorstrom (dc)

5 A

Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom

8 A

Base current – Basisstrom (dc)

120 mA

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

-55...+150°C

-55…+150°C

Min.

Typ.

Max.

1000

1000

–

–

–

–

Small signal current gain – Kleinsignal-Stromverstärkung

4

1

Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 5 mm from case

Gültig wenn die Anschlussdrähte in 5 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

2

© Diotec Semiconductor AG

http://www.diotec.com/

1

3.8

2.54

0.9

1.5

4

3

2

1

Type

Typ