A126AG-00 datasheet(1/1 Pages) HUASHAN

Part #	A126AG-00

Description	PNP SILICON TRANSISTOR

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Manufacturer	HUASHAN [SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD]

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汕头华汕电子器件有限公司

█ 芯片简介

█ 管芯示意图

█ 极限值（T

a=25℃）

（封装形式：TO-126）

█ 电参数（T

a=25℃）

（封装形式：TO-126）

参数符号

符

号

说

明

最小值典型值最大值单位

测

试

条

件

V（BR)CEO

ICBO

IEBO

hFE

VCE(sat)

VBE(on)

fT

Cob

集电极—发射极击穿电压

集电极—发射极截止电流

发射极—基极截止电流

直流电流增益

集电极—发射极饱和电压

基极—发射极导通电压

特征频率

共基极输出电容

-20

140

70

170

60

-100

600

1.0

-1.5

V

nA

V

MHz

pF

IC=-10mA，IB=0

VCE=-40V，IB=0

VEB=-8V，IC=0

VCE=-2V，IC=-500mA

VCE=-2V，IC=-4A

IC=-4A，IB=-100mA

VCE=-2V，IC=-4A

VCE=-2V，IE=-500mA

VCB=-10V，IE=0，

f=1MHz

Pulse Test: PW=10mS(max),Duty Cycle=30%(min)

PNP

S I L I C O N

T R A N S I S T O R

Tstg——贮存温度………………………………… -55~150℃

Tj——结温………………………………………………150℃

PC——集电极功率耗散

（Tc=25℃）……………………… 10W

PC——集电极功率耗散（Ta=25℃）………………………1.5W

VCBO——集电极—基极电压……………………………-40V

VCEO——集电极—发射极电压…………………………-20V

VEBO——发射极—基极电压………………………………-8V

IC——集电极电流（DC）……………………………………-5A

IC——集电极电流(脉冲)…………………………………-8A

IB——基极电流……………………………………………-1A

1357 晶体管芯片说明书

芯片尺寸：4 英寸（100mm）

芯片代码：A126AG-00

芯片厚度：240±20µm

管芯尺寸：1260×1260µm 2

焊位尺寸：B 极 308×308µm 2；E 极 308×385µm 2

电极金属：铝

背面金属：银

典型封装：2SA1357，H1357

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