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REV. A

3．電源ラインについて Power supply line

モータの逆起電力により回生した電流の戻りが生じるため、回生電流の経路として本

IC の電源−GND ピン直近にバイパスコンデンサ（0.1µF）を入れる等の対策をし、容量値は電解

コンデンサには低温での容量ぬけが起こることなど諸特性に問題のないことを十分ご確認のうえ、決定してください。

Due to return of regenerative current by reverse electromotive force, using electrolytic and ceramic suppress filter capacitors (0.1µF) close to the IC power input terminals (Vcc and GND)

is recommended. Please note: the electrolytic capacitor value decreases at lower temperatures.

4．グランド電位について GND line

GND 端子の電位はいかなる動作状態においても、最低電位になるようにしてください。また、実際に過渡現象を含め GND 以下の電圧になっている端子がないかご確認ください。

The ground line is where the lowest potential and transient voltages are connected to the IC.

5．熱設計について Thermal design

実際の使用状態での許容損失

(Pd)を考え、十分マージンを持った熱設計を行ってください。

Do not exceed the power dissipation (Pd) of the package specification rating under actual operation, and please design enough temperature margins

6．端子間ショートと誤装着について Short circuit mode between terminals and wrong mounting

セット基板に取り付ける際、

IC の向きや位置ずれに十分ご注意ください。誤って取り付けた場合、電源コネクタの逆接続時と同様IC が破壊する恐れがあります。また、端子間や端子と

電源、グランド間に異物が入るなどしてショートした場合についても破壊の恐れがあります。

Do not mount the IC in the wrong direction and displacement, and be careful about the reverse-connection of the power connector. Moreover, this IC might be destroyed when the dust short

the terminals between them or GND.

7．強電磁界中の動作について Radiation

強電磁界中でのご使用では、誤動作をする可能性がありますのでご注意ください。

Strong electromagnetic radiation can cause operation failures.

8．ASO について ASO (Area of Safety Operation)

IC を使用する際には、モータへの出力トランジスタが絶対最大定格、及びASO を越えないよう設定してください。

Do not exceed the maximum ASO and the absolute maximum ratings of the output driver.

9．熱遮断回路(TSD:サーマルシャットダウン)について TSD (Thermal Shut-Down)

ジャンクション温度

(Tj)が 175℃(Typ.)になると、熱遮断回路(TSD 回路)が動作し、モータへのコイル出力をすべて OFF 状態にします。約 25℃(Typ.)の温度ヒステリシスがあります。熱遮断

回路は、あくまでも熱的暴走から

IC を遮断することを目的とした回路であり、IC の保護、及び保証を目的とはしておりません。よって、この回路を動作させて以降の連続使用、及び動作を

前提とした使用はしないでください。

The TSD is activated when the junction temperature (Tj) reaches 175℃ (with +/-25℃ (typ.) hysteresis), and the output terminal is switched to OFF. The TSD circuit aims to intercept IC from

high temperature. The guarantee and protection of IC are not purpose. Therefore, please do not use this IC after TSD circuit operates, nor use it for assumption that operates the TSD circuit

10．出力−GND 間のコンデンサについて Capacitor between output and GND

出力−

GND 間に大きなコンデンサを接続されている場合、何らかの要因によりVcc が 0V またはGND とショートした時コンデンサに充電、された電流が出力に流れ込み破壊する恐れがあり

ます。出力−

GND 間のコンデンサは0.1µF 以下としてください。

If a large capacitor is connected between the output and GND, this IC might be destroyed when Vcc becomes 0V or GND, because the electric charge accumulated in the capacitor flows to

the output. Please set said capacitor to smaller than 0.1µF.

11．セット基板での検査ついて Inspection by the set circuit board

セット基板での検査時に、インピーダンスの低いピンにコンデンサを接続する場合は、

IC にストレスがかかる恐れがあるので 1 工程ごとに必ず放電を行ってください。また検査工程での冶具

への着脱時には、必ず電源をオフにしてから接続し検査を行い、電源をオフにしてから取りはずしてください。さらに静電気対策として、組み立て工程にはアースを施し、運搬や保存の際には

十分ご注意ください。

The stress might hang to IC by connecting the capacitor to the terminal with low impedance. Then, please discharge electricity in each and all process. Moreover, when attaching or detaching

from jig in the inspection process, please turn off the power before mounting the IC, and turn on after mounting the IC, and vice versa. In addition, please take into consideration

the countermeasures for electrostatic damage, such as giving the earth in assembly process, transportation or preservation.

12．各入力端子について Input terminal

本

IC はモノリシックIC であり、各素子間に素子分離のためのP

ます。例えば下図のように抵抗とトランジスタが端子と接続している場合、抵抗では電位差がグランド

(GND)＞(端子 A)の時、トランジスタ(NPN)ではグランド(GND)＞(端子 B)の時、PN 接合

が寄生ダイオードとして動作します。さらに、トランジスタ

(NPN)では前述の寄生ダイオードと近傍する他の素子の N 層によって寄生の NPN トランジスタが動作します。IC の構成上、寄生

素子は電位関係によって必然的に形成されます。寄生素子が動作することにより、回路動作の干渉を引き起こし、誤動作、ひいては破壊の原因となり得ます。したがって、入力端子にグランド

(GND；P 基板)より低い電圧を印加するなど、寄生素子が動作するような使い方をしないよう十分に注意してください。また、IC に電源電圧を印加していない時、入力端子に電圧を印加しない

でください。同様に電源電圧を印加している場合にも、各入力端子は電源電圧以下の電圧もしくは電気的特性の保証値内としてください。

This IC is a monolithic IC, and has P+ isolation and P substrate for the element separation. Therefore, a parasitic PN junction is firmed in this P-layer and N-layer of each element. For instance,

the resistor or the transistor is connected to the terminal as shown in the figure below. When the GND voltage potential is greater than the voltage potential at Terminals Aon the resistor,

at Terminal B on the transistor, the PN junction operates as a parasitic diode. In addition, the parasitic NPN transistor is formed in said parasitic diode and the N layer of surrounding elements

close to said parasitic diode. These parasitic elements are formed in the IC because of the voltage relation. The parasitic element operating causes the interference of circuit operation,

then the wrong operation and destruction. Therefore, please be careful so as not to operate the parasitic elements by impressing to input terminals lower voltage than GND (P substrate).

Please do not apply the voltage to the input terminal when the power-supply voltage is not impressed. Moreover, please impress each input terminal lower than the power-supply voltage or

equal to the specified range in the guaranteed voltage when the power-supply voltage is impressing.

IC の簡易構造例

Simplified structure of IC

13．アース配線パターンについて Earth wiring pattern

小信号

GND と大電流 GND がある場合、大電流GND パターンと小信号GND パターンは分散し、パターン配線の抵抗分と大電流による電圧変化が小信号GND の電圧を変化させないように、

セットの基準点で一点アースすることを推奨します。外付け部品の

GND の配線パターンも変動しないよう注意してください。

If small signal GND and large current GND exist, disperse their pattern. In addition, for voltage change by pattern wiring impedance and largecurrent not to change voltage of small signal GND,

each ground terminal of IC must be connected at the one point on the set circuit board. As for GND of external parts, it is similar to the above-mentioned.

14．逆転ブレーキ Reverse-rotation braking

高速回転から逆転ブレーキを行うときは、逆起電力に注意して下さい。また、出力電流を十分確認し、逆転ブレーキを使用する回転数を検討して下さい。

In the case of reverse-rotation braking from high-speed rotation, pay good attention to reverse electromotive force. Furthermore, fully check output current and consider the revolutions applied to

the reverse-rotation brake.

配線インピーダンス等の影響により、その効果は低下します。

The capacitor between SPVM and SPGND absorbs the change in a steep voltage and the current because of the PWM drive, as a result, there is a role to suppress the disorder of the

SPVM voltage. However, the effect falls by the influence of the wiring impedance etc, if the capacitor becomes far from IC. Please examine the capacitor between SPVM and SPGND to

arrange it near IC.

端子

A

寄生素子

GND

P

P基板

端子

A

寄生素子

端子

B

寄生素子

GND

P

P基板

CB

GND

E

端子

B

E

C

B

寄生素子

GND

近傍する

他の素子

抵抗

トランジスタ

(NPN)

Resistor

Transistor(NPN)

Terminal-A

Terminal-A

Terminal-B

Parasitic

element

P-Substrate

Parasitic

Parasitic

P-Substrate

Surrounding

elements

Parasitic

element

Terminal-B