2SB1123 / 2SD1623

No.1727-2/5

Electrical Characteristics at Ta=25°C

Parameter

Symbol

Conditions

Ratings

Unit

min

typ

max

Collector Cutoff Current

ICBO

VCB=(--)50V, IE=0A

(--)100

nA

Emitter Cutoff Current

IEBO

VEB=(--)4V, IC=0A

(--)100

nA

DC Current Gain

hFE1VCE=(--)2V, IC=(--)100mA

100*

560*

hFE2VCE=(--)2V, IC=(--)1.5A

40

Gain-Bandwidth Product

fT

VCE=(--)10V, IC=(--)50mA

150

MHz

Output Capacitance

Cob

VCB=(--)10V, f=1MHz

(22)12

pF

Collector-to-Emitter Saturation Voltage

VCE(sat)

IC=(--)1A, IB=(--)50mA

(--0.3)0.15

(--0.7)0.4

V

Base-to-Emitter Saturation Voltage

VBE(sat)

IC=(--)1A, IB=(--)50mA

(--)0.9

(--)1.2

V

Collector-to-Base Breakdown Voltage

V(BR)CBO

IC=(--)10μA, IE=0A

(--)60

V

Collector-to-Emitter Breakdown Voltage

V(BR)CEO

IC=(--)1mA, RBE=∞

(--)50

V

Emitter-to-Base Breakdown Voltage

V(BR)EBO

IE=(--)10μA, IC=0A

(--)6

V

Turn-ON Time

ton

See specified Test Circuit.

(60)60

ns

Storage Time

tstg

See specified Test Circuit.

(450)550

ns

Fall Time

tf

See specified Test Circuit.

(30)30

ns

*: The 2SB1123 / 2SD1623 are classified by 100mA hFE as follows:

Rank

R

S

T

U

hFE

100 to 200

140 to 280

200 to 400

280 to 560

Package Dimensions

Switching Time Test Circuit

unit : mm (typ)

7007B-004

VR

RB

25V

--5V

+

+

50Ω

INPUT

OUTPUT

RL=50Ω

100μF

470μF

PW=20μs

IC=10IB1= --10IB2=500mA

(For PNP, the polarity is reversed)

IB1

D.C.≤1%

IB2