BAS16DW

BAS16DW

Fast Switching Surface Mount Si-Planar Diodes

Schnelle Si-Planar-Dioden für die Oberflächenmontage

Version 2014-08-19

Dimensions - Maße [mm]

Power dissipation – Verlustleistung

200 mW

Repetitive peak reverse voltage

Periodische Spitzensperrspannung

100 V

Plastic case – Kunststoffgehäuse

SOT-363

Weight approx. – Gewicht ca.

0.01 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

Standard packaging taped and reeled

Standard Lieferform gegurtet auf Rolle

BAS16DW

Power dissipation − Verlustleistung

200 mW 1)

Max. average forward current – Dauergrenzstrom (dc)

Non repetitive peak forward surge current

Stoßstrom-Grenzwert

1 A

2 A

Repetitive peak reverse voltage – Periodische Spitzensperrspannung

100 V

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

-55...+150°C

-55…+150°C

Forward voltage 2)

< 715 mV

< 855 mV

< 1.0 V

< 1.25 V

Leakage current

Sperrstrom

< 1 µA

< 30 µA

< 50 µA

Max. junction capacitance – Max. Sperrschichtkapazität

2 pF

Reverse recovery time – Sperrverzug

< 4 ns

Thermal resistance junction to ambient air

Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft

1

2

© Diotec Semiconductor AG

http://www.diotec.com/

1

2.4

2 x 0.65

5

6

4

2

±0.1

Type

Code

3

2

1